冲击万亿元市值!长鑫科技扛起DRAM国产化大旗,中国大厂多久能追上三星、SK海力士?

每经记者|陈鹏丽 每经编辑|陈俊杰 这几天,国产DRAM(动态随机存取存储器)龙头长鑫科技(SH688825)是海内外资本市场里存储芯片板块的最大看点。7月16日,长鑫科技开启科创板申购,发行价为8.66元/股,若超额配售选择权全额行使,预计募集资金总额约为666亿元,成为今年A股最大IPO(首次公开募股)。综合多家机构给出的预期,公司上市后市值为2万亿元~3万亿元。IPO上市只是长鑫科技的一个新起点。据长鑫科技招股书,本次IPO公司原计划募集资金总额295亿元,全部用于DRAM主业。Citrini Research的分析显示,若现有项目如期推进,长鑫科技到2026年底,DRAM晶圆月产能将达到约35万片,直逼全球三大内存原厂之一的美光。7月17日,北京大道兴业投资创始人黄华艳接受《每日经济新闻》记者采访时表示,长鑫科技的上市,将有望重构全球DRAM竞争格局,打破海外定价霸权,同时带动国内存储全产业链国产化提…

长鑫科技最新回应:将持续推进产能建设,前五大股东持股比例均不过三成

红星资本局7月15日消息,今日长鑫科技科创板上市网上投资者交流会举办。长鑫科技核心管理层围绕公司行业地位、技术研发、产能规划、产品布局、公司治理、投资者回报及经营风险等核心议题回应。关于产能公司将持续推进产能建设交流会官方披露信息显示,长鑫科技是国内DRAM产业核心龙头企业,产能规模稳居中国第一、全球第四,成功实现DRAM关键核心技术自主可控,完成产品自主研发、设计与商业化量产全链条突破。公司董事长朱一明在交流中表示,未来公司将持续推进产能建设,稳步扩充产能规模,精准匹配下游市场持续增长的需求,依托产线迭代升级进一步提升全球市场竞争力。产品布局方面,公司已搭建起多元化、全覆盖的DRAM产品矩阵,形成DDR系列、LPDDR系列核心产品体系,可对外提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多类型产品解决方案,广泛适配服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等多领域应用场景。朱一明表示,公司…

江波龙:预计2026年半年度归母净利润同比增长62204%-74394%

江波龙7月3日公告,预计2026年半年度归属于上市公司股东的净利润为92.00亿元-110.00亿元,同比增长62204%-74394%。业绩变动主要系报告期内,受下游需求增加以及全球存储晶圆产能总体增长有限的影响,全球半导体存储产业景气,公司与多家全球主要存储晶圆原厂顺利续签晶圆供应协议(LTA或MOU),保障了存储晶圆的供应。此外,公司以自研芯片(如SPU主控芯片)、自研软件架构(如HLC等)支撑端侧AI存储多元综合需求,与AMD完成联合调优,实现公司SSD存储智能体和HLC技术支持端侧AI产品DRAM使用量下降40%左右的技术创新。责任编辑:刘德宾

江波龙:预计2026年半年度归母净利润同比增长62204%-74394%

江波龙7月3日公告,预计2026年半年度归属于上市公司股东的净利润为92.00亿元-110.00亿元,同比增长62204%-74394%。业绩变动主要系报告期内,受下游需求增加以及全球存储晶圆产能总体增长有限的影响,全球半导体存储产业景气,公司与多家全球主要存储晶圆原厂顺利续签晶圆供应协议(LTA或MOU),保障了存储晶圆的供应。此外,公司以自研芯片(如SPU主控芯片)、自研软件架构(如HLC等)支撑端侧AI存储多元综合需求,与AMD完成联合调优,实现公司SSD存储智能体和HLC技术支持端侧AI产品DRAM使用量下降40%左右的技术创新。责任编辑:刘德宾

绿色幻象之下:谁在为万亿AI芯片繁荣买单?

6月24日,人工智能芯片巨头英伟达CEO黄仁勋在股东大会上再次表达了对AI前景的强烈信心,称全球近40个国家正部署由其基础设施驱动的“AI工厂”,本轮建设周期或持续数十年,规模可能为人类历史上最大基建之一。在公开叙事中,英伟达塑造了“绿色创新”形象:强调其芯片计算效率提升降低能耗,自身运营已100%使用可再生电力。然而,其最新2026财年可持续发展报告显示,范围3碳排放(价值链上下游间接排放)自2024年以来近乎增长两倍,总量已接近黎巴嫩等中等国家全年排放。作为无晶圆厂设计公司,英伟达的排放主要来自供应链,而非自身运营。过去几年,围绕AI环境影响的讨论,也往往集中在数据中心、模型训练和推理阶段的耗电问题上。但越来越多证据显示,AI硬件的上游制造环节,尤其是先进AI芯片生产所带来的庞大隐含碳排放、水资源消耗和化学污染是被低估的“冰山水下部分”。长期研究AI能耗的荷兰央行经济学家亚历克斯…

腾挪非核心业务,晶合集成拟增资的安徽瑞晶是什么来头?

每经记者 张宝莲 每经编辑 杨军6月3日晚间,晶合集成(SH688249)公告宣布,公司拟与其他投资方共同向安徽瑞晶半导体有限公司(以下简称安徽瑞晶)进行增资。其中,晶合集成拟以全资子公司合肥瑞昱科技有限公司(以下简称合肥瑞昱)100%股权认缴出资24091.70万元。合肥瑞昱主要资产为BGBM业务(晶圆晶背减薄与金属化代工业务)所涉及的专用机台设备,相关设备将注入安徽瑞晶,用于建设月产能4万片的晶圆超薄化、金属化等工艺生产线。《每日经济新闻》记者注意到,晶合集成表示,此举旨在剥离非核心的BGBM业务,进一步聚焦主营业务,优化产业布局。BGBM业务的剥离与投资据了解,安徽瑞晶成立于2026年1月8日,注册地址在安徽省芜湖市,主要从事BGBM业务。本次增资前,晶合集成未直接持有安徽瑞晶股权;本次增资完成后,晶合集成直接持有安徽瑞晶的股权不超过30%。公告显示,晶合集成拟与其他投资方以1元/注册资本的价格共…

半导体和机器人两个赛道火到什么程度?今年前4月利润井喷,“投资人约不到企业负责人”

每经记者 张宏 每经编辑 董兴生5月27日公布的今年1~4月份规模以上工业企业利润数据显示,半导体上游材料环节利润激增,电子专用材料制造行业利润增长超6倍(601.7%)、光纤制造行业增长超3倍(347.6%)。作为AI(人工智能)落地的关键载体,机器人行业同样迎来强势增长,工业控制计算机及系统制造行业利润增长超1倍(128.6%)。半导体和机器人两个行业的利润双双大增,是真实需求驱动的景气度上行,还是低基数与库存的短期扰动?行业真实订单情况如何?利润增长是否可持续?投融资市场又有哪些新变化?就此,《每日经济新闻》记者(以下简称每经记者)深入产业一线和投资机构展开调查。高产能:龙头晶圆厂产能利用率接近满载半导体行业利润激增的原因是什么?每经记者首先采访了多家投研机构的专业人士。中国建投集团旗下的股权投资企业建投投资投资业务二部负责人王芸带领团队投资了多个半导体项目。王芸在接受每经记者…

比亚迪发布自研高算力芯片“璇玑A3”,为中国首款4nm智驾芯片,并宣布为城市领航兜底服务

红星资本局5月28日消息,今日晚间,比亚迪(002594.SZ)在深圳全球总部举办“敢为”智能化战略发布会。发布会上,比亚迪董事长王传福发布自研高算力芯片“璇玑A3”。这是比亚迪第567款车规级芯片,采用4纳米制程工艺,是中国首款4nm智驾芯片。璇玑A3拥有16核CPU,带宽273GB/S,整车综合算力(3颗)超2100TOPS,支持L3、L4自动驾驶。对比行业同级别产品,璇玑A3的单位算力功耗降低了20%,同时配合企业自研的底层算法进行深度优化,使其算力利用率实现了100%的提升。王传福表示,车规级4纳米芯片的研发与制造标准极其苛刻,其技术难度等同于消费电子领域的2纳米级别。他表示,电动化上半场看电池,智能化下半场看芯片。比亚迪是全球唯一拥有芯片全流程、全链路制造能力的车企,包括产品定义、架构设计、电路设计、版图设计、晶圆制造、封装、测试,芯片产品已超2000款。目前,比亚迪共建立起四座研发基地与五座晶圆制造工…

比亚迪发布自研高算力芯片“璇玑A3”,为中国首款4nm智驾芯片,并宣布为城市领航兜底服务

红星资本局5月28日消息,今日晚间,比亚迪(002594.SZ)在深圳全球总部举办“敢为”智能化战略发布会。发布会上,比亚迪董事长王传福发布自研高算力芯片“璇玑A3”。这是比亚迪第567款车规级芯片,采用4纳米制程工艺,是中国首款4nm智驾芯片。璇玑A3拥有16核CPU,带宽273GB/S,整车综合算力(3颗)超2100TOPS,支持L3、L4自动驾驶。对比行业同级别产品,璇玑A3的单位算力功耗降低了20%,同时配合企业自研的底层算法进行深度优化,使其算力利用率实现了100%的提升。王传福表示,车规级4纳米芯片的研发与制造标准极其苛刻,其技术难度等同于消费电子领域的2纳米级别。他表示,电动化上半场看电池,智能化下半场看芯片。比亚迪是全球唯一拥有芯片全流程、全链路制造能力的车企,包括产品定义、架构设计、电路设计、版图设计、晶圆制造、封装、测试,芯片产品已超2000款。目前,比亚迪共建立起四座研发基地与五座晶圆制造工…

中国团队重要突破!将为芯片技术自主可控提供关键材料

来源:科技日报近日,国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破,有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。据介绍,原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强,被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而,晶格缺陷诱导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应,使现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少,以及N型材料性能好,P型材料性能差的结构性失衡问题。针对上述问题,研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法,实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4(氮化钨硅)薄膜的可控生长。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别,生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。在晶体管性能方面,单层WSi2N4不仅空穴迁移…